Kênh dẫn sóng Plasmonic lai

Sáng chế về “Phương pháp chế tạo kênh dẫn sóng Plasmonic lai”.

Số bằng: 1-0023007

Ngày công bố: 25/2/2020

Tác giả: Chu Mạnh Hoàng

Chủ bằng: Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội.

Sáng chế đề cập tới phương pháp chế tạo các kênh dẫn sóng plasmonic lai. Cấu tạo của kênh dẫn sóng plasmonic là từ kênh dẫn sóng silic tròn được định vị trong kênh chữ V. Kênh chữ V trước khi tập hợp kênh dẫn sóng silic đã được phủ một lớp kim loại và một lớp điện môi chỉ số thấp để tạo thành kênh dẫn sóng plasmonic lai. Sáng chế trình bày quy trình chế tạo các kênh dẫn sóng silic từ phương pháp xử lý nhiệt hidro và kênh chữ V được tạo ra bằng phương pháp ăn mòn ướt phiến silic định hướng. Kênh dẫn sóng silic được định vị một cách chính xác trong kênh chữ V bằng cách thiết kế dấu định vị và rãnh định vị dạng sóng silic trong kênh chữ V và phương pháp để tách kênh dẫn sóng silic từ đế. Phương pháp chế tạo các chip kênh dẫn sóng đơn cũng  được cung cấp. Kênh dẫn sóng plasmonic lai được chế tạo có thể được ứng dụng trong chế tạo các linh kiện cho mạch quang tích hợp như kênh truyền dẫn sóng quang ở tỷ lệ nano, laze nano, bộ điều biến quang và ứng dụng trong chế tạo các cảm biến quang. Phương pháp này có thể sản xuất hàng loạt từ quy mô phòng thí nghiệm đến công nghiệp.

Đọc toàn văn:

http://www.noip.gov.vn/documents/20182/848931/23007.pdf/40028c0f-b329-44b9-ba82-b3b35fe1ee73

Theo noip.gov.vn

Kênh dẫn sóng Plasmonic lai

Bình luận của bạn
*
*
*
*
 Captcha

Logo Bottom

Địa chỉ: 268 Lý Thường Kiệt, P.14, Q.10, TP.Hồ Chí Minh           Tel: 38647256 ext. 5419, 5420           Email: thuvien@hcmut.edu.vn

Thiết kế website Webso.vn