Sự kiện sắp diễn ra:

Chào mừng Ngày sách Việt Nam 21/4Tài liệu HDSD Thư việnPhục vụ ngoài giờ từ thứ 2 đến thứ 6 và ngày thứ 7 Dịch vụ gởi sách giáo trình tận nhà cho sinh viên Danh mục tài liệu mớiGia hạn tài liệu online

Màng mỏng CZTSSe

Bài báo “Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe”.

Tác giả: Đào Anh Tuấn, Phan Thị Kiều Loan, Nguyễn Hữu Kế, Lê Vũ Tuấn Hùng.

Trích trong Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ, chuyên san Khoa học Tự nhiên.

Trong công trình này, chúng tôi trình bày quy trình chế tạo lớp hấp thụ quang CZTSSe có cấu trúc tinh thể cao. Trước tiên CZTS được chế tạo bằng phương pháp quay phủ sau đó màng được chuyển đổi thành CZTSSe thông qua quá trình selen hóa bằng hộp than chì và lò nung ống.

Bằng cách giữ cho nhiệt độ ủ không đổi và thay đổi thời gian ủ, các đặc tính cấu trúc, quang học, điện và thành phần của màng mỏng CZTSSe được khảo sát. Nhiễu xạ tia X và quang phổ Raman cho thấy những màng mỏng này thể hiện độ kết tinh cao và định hướng ưu tiên mạnh mẽ theo hướng (112), xác nhận sự hiện diện của pha Kesterite CZT Se.

Độ rộng vùng cấm quang của màng mỏng CZTSSe, thay đổi từ 1,19eV đến 1,62eV, tùy thuộc vào thời gian selen hóa. Ở thời điểm ủ nhiệt 540 độ C với thời gian ủ nhiệt 60 phút, màng CZTSSe loại p có năng lượng vùng cấm quang là 1,19eV, nồng độ lỗ trống và điện trở suất lần lượt là 2,68 x 10¹⁹cm^-3 và 0,86 (W.cm) phù hợp cho ứng dụng quang điện.

Ghi tài liệu tham khảo theo IEEE:

[1] “Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe”.

http://stdjns.scienceandtechnology.com.vn/index.php/stdjns/article/view/905/1309 (truy cập ngày 8/1/2021).

Đọc toàn văn:

http://stdjns.scienceandtechnology.com.vn/index.php/stdjns/article/view/905/1309