Sự kiện sắp diễn ra:

Chào mừng Ngày sách Việt Nam 21/4Tài liệu HDSD Thư việnPhục vụ ngoài giờ từ thứ 2 đến thứ 6 và ngày thứ 7 Dịch vụ gởi sách giáo trình tận nhà cho sinh viên Danh mục tài liệu mớiGia hạn tài liệu online

Hiệu ứng chắn lên hệ số Seebeck phonon drag

Bài báo “Hiệu ứng chắn lên hệ số Seebeck phonon drag của đơn lớp và lớp đôi graphene lớp kép”.

Tác giả: Trương Văn Tuấn, Nguyễn Quốc Khánh.

Trích trong Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ.

Bài báo trình bày việc khảo sát ảnh hưởng của hiệu ứng chắn phụ thuộc nhiệt độ lên hệ số Seebeck phonon drag Sg của đơn lớp graphene lớp kép (BLG) và của lớp đôi BLG − BLG đặt trong không khí. Đối với hệ đặt trong không khí, có thể giả thiết rằng các điện tử hai chiều của BLG chỉ tương tác với phonon âm thế biến dạng nội lớp trong BLG. Sau khi kiểm tra lại kết quả của Kubakaddi và Bhargavi công bố trong bài báo “Enhancement of phonon-drag thermopower in bilayer graphene”, Phys. Rev. B 82, 155410 (2010) bài báo này trình bày việc mở rộng các kết quả đạt được từ bài báo nêu trên cho trường hợp có xét đến hiệu ứng chắn và lớp đôi. Kết quả chỉ ra rằng hiệu ứng chắn đã làm cho hệ số Seebeck phonon drag giảm rất mạnh, đến vài bậc độ lớn như đã tìm thấy đối với hệ đơn lớp BLG với hàm chắn nhiệt độ không trong một số công bố gần đây. Khi xem xét ảnh hưởng của hiệu ứng chắn của các điện tử ở lớp thứ hai lên tương tác điện tử − phonon ở lớp còn lại, thông qua so sánh với kết quả tính toán chỉ sử dụng hàm chắn nội lớp, kết quả đạt được cho thấy khi khoảng cách giữa hai lớp nhỏ, hiệu ứng chắn của lớp thứ hai làm giảm đáng kể độ lớn của hệ số Seebeck phonon drag Sg của lớp đôi BLG-BLG. Bài báo cũng trình bày việc khảo sát sự phụ thuộc của Sg vào nhiệt độ, khoảng cách giữa hai lớp và mật độ hạt cho cả hai trường hợp hệ đối xứng và hệ bất đối xứng với mật độ hai lớp khác nhau.

Đọc toàn văn:

http://stdjns.scienceandtechnology.com.vn/index.php/stdjns/article/view/1306/1650